Bài giảng Kĩ thuật điện tử - Chương 4: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT

Nội dung text: Bài giảng Kĩ thuật điện tử - Chương 4: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT

1. Chương 4 Khi xét BJT hoạt động dưới điềukiệntín MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU hiệunhỏ (sự thay đổicủatínhiệu vào đủ NHỎ DÙNG BJT nhỏ) thì có thể xem BJT như mộtbộ khuếch I. ĐỊNH NGHĨA đạiac. I,V - Khuếch đại là quá trình biến đổimột đại I,V lượng (dòng điện hoặc điệnáp) từ biên độ nhỏ Δ BỘ out Δin thành biên độ lớn mà không làm thay đổi KHUẾCH ĐẠI dạng củanó. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 1 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 2 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Pout - Độ lợi là tỉ số củamộtlượng tín hiệu (dòng + Độ lợi công suất: AP = =Av.A i Pin điệnhoặc điệnáp) thayđổi ở ngõ ra và ngõ vào. A > 1: bộ khuếch đạitínhiệu. A < 1: bộ suy giảm tín hiệu. Ký hiệu là Ai hoặcAV. Nhắclại: ΔIout io (rms) + Độ lợi dòng: Ai = = ΔIin ii (rms) + giá trị rms: trị hiệudụng (để tính cho tín hiệuac). ΔV v (rms) + Độ lợi áp: A = out = o + giá trị amp: trị biên độ (hoặc đỉnh – peak). v ΔV v (rms) in i (amp) (rms) = 2 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 3 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 4 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 1
2. Công suấtngõ vào ac Điệntrở ngõ vào củamộtbộ khuếch đại là tổng Pin = vin (rms)*iin (rms) trở tương đương tạicácđầungõ vào của nó. v2 (rms) = in rin Vin Rin = (DC) 2 = iin (rms)*rin Iin Định nghĩatương tự cho điệntrở và công vin rin = (ac) suấtngõ ra. iin Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 5 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 6 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Ảnh hưởng của điệntrở nguồn đốivớimạch * Khuếch đạiáp khuếch đại A - Điện áp vào bộ KĐ: ⎛ r ⎞ ⎜ in ⎟ vin = ⎜ ⎟.vs ⎝ rs +rin ⎠ v o rin = A v ⇒ Điệnápra: v s rs + rin v o = A ⎛ r ⎞ v v in in ⎜ ⎟ vout = Av .vin = Av .⎜ ⎟.vs ⎝ rs +rin ⎠ r v = in v in s ⇒ Để có độ lợiáplàAv càng lớnthìrin >>rs . rs + rin Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 7 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 8 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 2
3. * Khuếch đại dòng ⎛ r ⎞ ⎜ s ⎟ - Dòng ngõ vào bộ KĐ: iin = ⎜ ⎟.is r ⎝ rs +rin ⎠ i = s i in r +r s ⇒ Dòng ngõ ra : s in i r o = s A ⎛ r ⎞ i r +r i ⎜ s ⎟ s s in iout = Ai .iin = Ai .⎜ ⎟.is ⎝ rs + rin ⎠ ⇒ Để có độ lợidònglàAi càng lớnthìrs >>rin . Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 9 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 10 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Ảnh hưởng của điệntrở tải ⎛ r ⎞ ⎜ L ⎟ Áp ra trên tải: vL = ⎜ ⎟.vout ⎝ ro + rL ⎠ ⇒ để có áp rơitối đatrêntảithìrL>>ro. Xét cảảnh hưởng củanguồnthìđộ lợiáptừ nguồn đếntải: - Mộtbộ khuếch đại ac dùng để cung cấp áp, dòng hoặc/và công suất cho mộttải ở ngõ ra. v ⎛ r ⎞ ⎛ r ⎞ L = A .⎜ in ⎟.⎜ L ⎟ - Tảicóthể là loa, anten, còi, động cơđiệnhoặc v V ⎜ r + r ⎟ ⎜ r + r ⎟ bấtkỳ 1 thiếtbị hữu ích nào. s ⎝ s in ⎠ ⎝ o L ⎠ - Khi phân tích mạch này, ta thay thế bằng 1 điện trở tảiRL. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 11 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 12 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 3
4. Mộtcáchtương tự khi xét đếnbộ khuếch đại dòng, ta có: Để truyền công suấtcực đại thì cầncó ⎛ r ⎞ Dòng trên tải: i = ⎜ o ⎟ . i L ⎜ ⎟ out sự phốihợptrở kháng: ⎝ ro + rL ⎠ Độ lợidòngtổng: - Từ nguồn tín hiệu đếnbộ khuếch đại: i ⎛ r ⎞ ⎛ r ⎞ L ⎜ s ⎟ ⎜ o ⎟ rs = r in. = Ai .⎜ ⎟.⎜ ⎟ is ⎝ rs + rin ⎠ ⎝ ro + rL ⎠ - Từ bộ khuếch đại đếntải: rout = rL. ⇒ để có dòng tối đatrêntải thì ro>>rL. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 13 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 14 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Mục đíchphâncựcDC Khi thiếtkế phân cực cho BJT đồng thờicũng là chọn điểm làm việc cho BJT. Khi đó, dạng sóng ở ngõrasẽ phụ thuộc vào giá trịđiểm phân cựcvàsự thay đổicủatín hiệu ở ngõ vào. Vmax(maximum output valtage): là giá trị max ở ngõ ra khi BJT không dẫngọilàápcắt (cutoff), thường bằng áp nguồn cung cấp. vo(t) = VB + vin Vmin(minimum output valtage): là giá trị min ở ngõ ra khi BJT dẫnbảo hòa. VB: áp phân cựctĩnh Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 15 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 16 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 4
5. Tùy thuộc vào giá trị củaVB mà điệnáprasẽ có ChếđộMaxswing những thay đổinhư sau: Là chếđộhoạt động khi áp ngõ ra đạtgiátrị tối đa mà không bị méo dạng tín hiệu. Để đạt đượcchếđộnày thì điểm phân cựctĩnh phải đượcchọnnằm ở giữagiátrị Vmin ÷Vmax. VO Vmax VB V min t Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 17 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 18 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Tụ ghép -Tính chấtcủatụ là ngăntínhiệu DC, thông thường tụ sẽđược dùng để ngăn ảnh hưởng củatínhiệu DC đốivớinguồnhoặctải. - Các tụ này phải đủ lớn để có tổng trở thật nhỏđốivớitínhiệu AC. - Các tụ này đượcgọilàtụ ghép (coupling capacitor) hoặctụ chặn (blocking capacitor). Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 19 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 20 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 5
6. Đường tảimộtchiềuvàđường tải xoay chiều VCC - Đường tảiDClà tậphợptấtcả các RC điểm làm việctĩnh Q(IC,VCE), khi chưa RC R B có tín hiệu AC. RL - Đường tảiAClà tậphợptấtcả các điểm Xét mạch khuếch đạiCE: (iC,vCE), bao gồmcảđiểmQ. - Điệntrở tải DC: RL = RC. - Điệntrở tải AC: rL = RL // RC. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 21 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 22 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh - Phương trình đường tải AC: Nhậnxét 1 - Đường tải AC có độ dốc ( tg δ = − ) lớnhơn VQ r i = + I 1 L o r Q đường tải DC (tg θ = − ). L R v = V + I r L o Q Q L -Ápngõrađượcquyết định bởi đường tảiAC sẽ nhỏ hơnnếu được quyết định bởi đường tải I , V = Q(I ,V ) Q Q C CE DC. iO, vO:giá trị iC và vCE của đường tải AC. -NếuQ dịch trên đường tải DC thì đường tải AC sẽ dịch song song. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 23 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 24 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 6
7. IC VCEQ (ICQ + ) • ACLL rL Q(VCE,IC) ICQ • δ DCLL • VCE VCEQ (VCEQ+ ICQ.rL) Đốivới bài toán đã thiếtkế sẵnthì giá trị maxswing(lý tưởng) củavout là: vout= min[(0÷VCEQ),(VCEQ÷VCEQ+ICQrL)] Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 25 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 26 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh II. CÁC CHẾ ĐỘ LÀM VIỆC CỦA BJT TRONG MẠCH Định nghĩahiệusuất η: đobằng tỷ số giữa công suấtcủa tín hiệu i KHUẾCH ĐẠI C xoay chiều đưaratrêntảivàtổng công suấttầng khuếch đại tiêu thụ củanguồn cung cấp. IBmax ChếđộA (LớpA) C ChếđộA thường dùng trong các tầng khuếch đại tín hiệunhỏ. M Khi chọn điểmQ nằm iCmax • ChếđộB (LớpB) khoảng giữa đoạnMN Q Khi chọn điểmQ nằm trùng vớiD (hoặcN) thìphầntử khuếch trên đường tải xoay iCQ • đại làm việc ở chếđộB lý tưởng (hoặcthựctế). Đặc điểmcủa chiều, ta nói phầntử chếđộnày là: KĐ làm việc ở chếđộA. N IBmin iCmin • - Méo phi tuyếntrầmtrọng. Đặc điểmcủachếđộ VCE vCEQ D này là: - Hiệusuất cao. (ηBmax = 78.5%). - Khuếch đại trung thực, ít méo phi tuyến. - Thường dùng trong các tầng khuếch đạicôngsuất(tầng cuối của các thiếtbị khuếch đại). Để khắcphục méo phi tuyến, đòi hỏi - Dòng và áp tĩnh luôn khác không. Biên độ dòng và áp xoay chiều mạch phảicó2 vếđốixứng thay phiên làm việc trong 2 nữachu lấyratối đachỉ bằngdòngvàáptĩnh. Do đóhiệusuấtthấp (25%). kỳ (gọilàmạch “đẩy kéo”). Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 27 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 28 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 7
8. Thựctế, người ta còn dùng chếđộAB (trung gian giữachếđộA III. SƠ ĐỒ TƯƠNG ĐƯƠNG CỦA BJT và B): điểmQ chọn ở phía trên điểm N và gần điểm này. Lúc đó phát huy được ưu điểmcủamỗichếđộ, giảmbớt méo phi -Mục đích củaviệc chuyểnvề sơđồtương đương là làm tuyến, nhưng hiệusuấtkémhơnchếđộB. cho mạch tính toán đơngiảnvàdễ dàng hơn. -Khisự biếnthiênở tín hiệu vào đủ nhỏđểtạosự thay đổi Chếđộkhóa hay chếđộđóng ngắt(lớpD) về dòng và áp ở ngõranằmtrongđặctínhgiớihạncủa BJT có thể làm việc ở chếđộđóng ngắt (Switch BJT). BJT, ta có thể xem BJT là mộtphầntử 4 cực tuyến tính: Tuỳ theo giá trịđiện áp vào mà BJT có thể làm việc ở 2 trạng I I thái đốilập: 1 2 I1, V1(i1, v1): dòng và áp ở -Trạng thái khóa (tắt): khi Q nằm ở phía dưới điểmN. ngõ vào. V1 V2 - Trạng thái dẫnbảohòa(mở): khi Q nằm ở phía trên điểmM I2, V2(i2, v2): dòng và áp ở (gần điểmC). ngõ ra. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 29 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 30 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Bộ tham số h Tham số xoay chiềucủaBJT ⎧ ∂ V ∂ V dV = 1 dI + 1 dV V1 = f(I1,V2) ⎪ 1 1 2 v1 = h11i1 + h12 v2 ⎪ ∂ I 1 ∂ V 2 ⎨ Tuỳ theo từng sơđồcụ thể của BJT (BC, EC hay CC) thì các ∂ I ∂ I ⇒ I2 = f(I1,V2) ⎪ dI = 2 dI + 2 dV i2 = h21i1 + h22 v2 ⎪ 2 1 2 đạilượng trên sẽ là những điệnáphay dòngđiện trên các cực ⎩ ∂ I 1 ∂ V 2 tương ứng, đồng thờitùytheoloại BJT( NPN hay PNP) mà Ý nghĩacủatừng tham số chúng có dấuhoặcchiềuthíchhợp. v1 Trở kháng vào của BJT khi áp xoay chiều h11(hi) = ở ngõrabị ngắnmạch. i1 Tuỳ theo việcchọnbiếnvàhàmđể mô tả mối quan hệ giữa V2 =0 các ngõ vào và ra của BJT mà ta có các loạithamsốđặctrưng Hệ số khuếch đại dòng điện (độ lợi dòng) i 2 cho BJT. h 21 (hf ) = của BJT khi áp xoay chiều ở ngõrabị i1 V2 =0 ngắnmạch. Biến I , I V ,V I ,V V ,I V ,I V ,I i Điệndẫnracủa BJT khi dòng xoay chiều 1 2 1 2 1 2 1 2 2 2 1 1 h (ho) = 2 22 v ở ngõ vào bị hở mạch. 2 I =0 Hàm V1,V2 I1,I2 V1,I2 I1,V2 V1,I1 V2,I2 1 Hệ số truyềnngượcvềđiệnáp(hồitiếp v1 điệnáp) của BJT khi dòng xoay chiều ở Tham số z Tham số y Tham số h h12 (hr) = v2 ngõ vào bị hở mạch. I1 =0 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 31 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 32 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 8
9. - Vì vậy, phẩmchất, tính năng của BJT sẽ thể hiệngiá trị Mạch tương đương củaBJT các tham số h của chúng. i1 i2 ij • • -Cách đượcgọi là các tham số xoay chiều (hoặcthamsố vi ij v1 = h11i1 + h12 v2 phân) của BJT. h11(hi) 1 v v2 i2 = h21i1 + h22 v2 1 h21i1 -Về đơn vị đo: h 22 h12v2 -h (hoặc h ): điệntrở (Ω). 11 i • • Ω -h22(hoặc ho): điệndẫn (mho ( ) hoặc siemient). - Điệntrở vào h11 (hoặchi). -h12(hoặc hr) và h21(hoặc hf) chỉ là các hệ số nên -Nguồn điệnáph12v2 (hoặchr vo): thể hiệnsự hồitiếp điệnápnội không có thứ nguyên. -3 -4 bộ của BJT. Thựctế h12 (hay hr) có giá trị rất bé(10 ÷10 ), vì vậy đạilượng h12v2 có thể bỏ qua. Do đó, bộ tham số hij còn đượcgọi là tham số hỗnhợp (hybrid). - Nguồn dòng điệnh21i1(hoặc hfii): phảnánhkhả năng khuếch đại dòng. -TùytheoBJT mắctheokiểu nào (BC, EC hay CC) mà các - Điệndẫnrah22(hoặc ho), thựctế giá trị này rất bé, nên điệntrở tham số có thêm chỉ số tương ứng. ra sẽ vô cùng lớnvà có thể bỏ qua. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 33 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 34 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Mạch tương đương đơngiản hóa của BJT (toán học) Mạch tương đương của BJT mắckiểu CE (vậtlý) i1(ii) i2(io) • • βiB iB r i B B B’ C C • • i • v (v ) CEO v1(vi) h11(hi) h21i1 (hf) 2 o riE iE rE rCE • • • • • E Mạch tương đương đơngiản hóa của BJT mắckiểuCE iB(ii) iC(io) BC -rE: điệntrở của vùng nghèo emitter đốivớitínhiệu xoay chiều. • • 26 [mV] 26 [mV] C Ở nhiệt độ thường: rE = ≈ IE[mA] IC[mA] B v (v ) vBE(vi) hiE hfEiB CE o -rB: điệntrở bảnthâncủamiềnbase đốivớidòngIB. Đốivớicác BJT công suất nhỏ rB = (100÷300)Ω. E -r : điệntrở của vùng nghèo collector, có giá trị rấtlớn (hàng MΩ). • • C E Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 35 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 36 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 9
10. Mạch tương đương của BJT mắckiểu CE (vậtlý) IV. PHÂN TÍCH MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ B iC C • • 1. Mạch khuếch đạimắc E chung i B ICEO βiB r riE CE R riE= rB+(β+1)rE B1 RC C2 • • E C1 Mạch tương đương của BJT mắckiểu CE (vậtlý) đơngiảnhơn R i i L B BCC • • RS RB2 RE CE Vì β>>1 và r << r : B E vS riE hfEiB=βiB riE ≅βrE • • E Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 37 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 38 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh VCC Các thông số củamạch khuếch đại đốivớitín RB1 R C C2 C hiệu xoay chiều: 1 RL RS - Điệntrở vào. RB2 CE RE vS - Điệntrở ra. - Độ lợidòng. Sơđồ tương đương về mặt xoay chiều h ≅β - Độ lợiáp. fe hie hfeiB RS R RB1 B2 rie≅βrE RC RL vS Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 39 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 40 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 10
11. Điệntrở vào - Điệntrở ra: hfe≅β iS iB iL iS iB iL hie hfeiB RS R RB1 B2 rie≅βrE RC RL hfe≅β h h i vS ie fe B RS R R r ≅βr R RiE B1 B2 ie E RC L vS RoE Đặt: RB = RB1 // RB2 ; rL = RC // RL RiE = RB // hiE R = R NếuRB >> hiE thì RiE = hiE oE C -Nếudùngmạch tương đương vậtlý: RiE = RB // βrE rE = 0.026/IE (Ở nhiệt độ phòng) Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 41 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 42 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh - Độ lợidòngtổng: A = i /i iE L S - Độ lợiáp: AVE = VL/Vin hfe≅β iS iB iL hfe≅β hie hfeiB iS iB iL R hie hfeiB RoE S R R R RiE B1 B2 rie≅βrE RC L RS R Vin RB1 B2 rie≅βrE RC RL vS V Vin L vS VL r V = i R = h i r ⇒ i = h i L V = h i r L L L fE B L L fE B R L fE B L h L V = i R = i h ⇒ i = i iE V =i h in S iE B iE S B R in B iE R iE rL iE ⇒ A = h rL rL i E fE ⇒ A = −h = −β h iE R L V E fE r r h iE h iE NếuR >> h : ⇒ A = h L = β L B iB i E fE Nhậnxét: Áprangượcphavới áp vào. R L R L Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 43 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 44 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 11
12. - Độ lợi áp toàn phần : ATP = VL/VS 2. Mạch khuếch đạimắc B chung iS iB iL hfe≅β h h i C C2 ie fe B RS 1 RC RS R RE R RB1 B2 rie≅βrE RC RL L v vS S VCC RoE RiE Sơđồ tương đương V = h i r L fE B L h V =i (R +R ) i = i iE S S S iE S B RS R r RiE RE iE L hiB h i ⇒ A = −h fB E RC RL TP fE vS hiE R S + R iE rL NếuRB >> hiE: ⇒ A = − h TP fE R + h Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử S iE 45 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 46 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh Điệntrở vào Điệntrở ra R S i iL R RE E S i iL h RE E iB hfBiE R R v C L hiB h i R S v fB E RC L RiB S RoB RiB = RE // hiB RoB = RC NếuRE >> hiB thì RiB = hiB Thông thường giá trị hiB rất nhỏ (khoảng vài chục Ω). Vì vậymạch khuếch đại B chung có điệntrở vào rất bé. Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 47 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 48 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 12
13. - Độ lợidòngtổng: AiB = iL/iS - Độ lợiáp: AVB = VL/Vin R S i iL RE E RS i hiB h i R iE L v fB E RC L RE S hiB h i fB E RC RL vS rL VL = i L R L = h fB i ErL ; rL = R C // R L ⇒ i L = h fB i E R L hiB V = h i r = h i r Vin = iSR iB = iEhiB ⇒ iS = iE L fB C L fB E L R iB R iB rL ⇒ A = h Vin = iSRiB = iE hiB i B fB h R iB L r r NếuR >> h : ⇒ A = h L ⇒ A = h L E iB i B fB R V B fB h Trường hợpR > h : L E iB ⇒ ATP = hfB R R vS E L RS + RiB Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 51 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 52 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 13
14. Điệntrở vào B h i C fe B B hie E hie iB iE RS R B R R hfeiB E RL S RB v E S riC R R RiC vS E L VBC C RiC = RB // riC ; riC = iB Vẽ lạisơđồ tương đương VBC = VBE + VEC B hie E VBC = iB.hiE + iE.rL (rL = RE // RL) V = i .h + (h + 1)i .r RS R BC B iE fE B L B h i R R fe B E L V r = BC = h + (h + 1).r (hàng trămKΩ) vS iC iE fE L iB Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 53 ⇒ RiC ≅ RB Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 54 GV: Lê Thị Kim Anh C GV: Lê Thị Kim Anh Điệntrở ra - Độ lợidòngtổng: AiC = iL/iS B hie E B hie E i i R B E S R iL B R iS iE hfeiB RE RL S R B h i R R v fe B E L S R roC oC vS V ;r = EC C RoC = RE // roC oC C iE VL = i L R L = i ErL = (h fE + 1)i B .rL (rL = R E // R L ) VEC = iB.hiE + iB.R’S ; (R’S = RS // RB) rL ⇒ i L = (h fB + 1)i B R L VEC hiEiB + R'S iB hiE + R'S riC riC roC = = = (rất nhỏ) Vin = iSR iC = iBriC ⇒ iS = iB = iB (R iC = riC // R B ) iE iE hf + 1 E R iC R iC R iC rL ⇒ RiC khoảng vài chục Ω ⇒ A i C = (h fE + 1) riC R L Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 55 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 56 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 14
15. - Độ lợiáp: AVC = VL/Vin Nhận xét chung: B h E ie -Mạch khuếch đại E chung có tín hiệu ở ngõ ra iL ngược pha vớitínhiệungõ vào. Có khả năng RS iS iE RB khuếch đạidòngvàáp. hfeiB RE RL vS - Mạch khuếch đại B chung có tổng trở vào nhỏ (vài chục ohm), tổng trở ra lớn (vài trămKΩ), không C VL = (hfE +1) iB rL khuếch đại dòng (Ai ≅ 1). Vin =iB riC - Mạch khuếch đại C chung có tổng trở vào lớn (vài (h + 1)r (h + 1)r trămKΩ), tổng trở ra nhỏ (vài chục ohm), không ⇒ A = fE L = fE L V C khuếch đạiáp(Av ≅ 1). riC h iE + (h fE + 1)rL rL - Cả hai mạch khuếch đạiB và C chung có tín hiệu ở A V C = ≅ 1 h iE ngõ ra đồng pha vớitínhiệu ở ngõ vào. + rL h fE + 1 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 57 Bài giảng môn Kỹ thuật Điện tử 58 GV: Lê Thị Kim Anh GV: Lê Thị Kim Anh 15