›

Giáo trình Kĩ thuật điện tử - Trần Thanh Toàn

pdf 46 trang huongle 5270
Download
Bạn đang xem 20 trang mẫu của tài liệu "Giáo trình Kĩ thuật điện tử - Trần Thanh Toàn", để tải tài liệu gốc về máy bạn click vào nút DOWNLOAD ở trên

Tài liệu đính kèm:

  • pdfgiao_trinh_ki_thuat_dien_tu_tran_thanh_toan.pdf

Nội dung text: Giáo trình Kĩ thuật điện tử - Trần Thanh Toàn

  1. Trường Cao đẳng nghề Đồng Tháp Khoa Công nghệ thông tin  Bài giảng áp dụng cho lớp TKL12 và TKL13: KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ GVHD: Trần Thanh Toàn Lưu hành nội bộ ĐỒNG THÁP, 2014
  2. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Mục lục: Bài 1 : 5 CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ 5 1.1 ĐIỆN TRỞ 5 1.1.1 Khái niệm 5 1.1.2 cấu tạo điện trở 5 1.1.3 Những thông số cơ bản của điện trở 6 1.1.4 Kí hiệu và ghi nhãn điện trở 7 1.2 TỤ ĐIỆN 8 1.2.1 Cấu tạo 8 1.2.2 Những thông số cơ bản của tụ điện 8 1.2.3 Kí hiệu và phân loại 9 1.3. CUỘN CẢM VÀ BIẾN ÁP 11 1.3.1 Cuộn cảm 11 1.3.2 Những thông số cơ bản của cuộn cảm 11 b. Điện kháng ( cảm kháng) : 11 1.3.3 Phân loại và ứng dụng 12 1.4 Biến Áp 12 1.4.1 Biến áp cảm ứng 12 1.4.2 Biến áp trung tần 13 1.4.3 Biến áp âm tần 13 Bài 2: 15 CHẤT BÁN DẪN VÀ LINH KIỆN TÍCH CỰC 15 2.1 Chất bán dẫn 15 2.1.1 Chất bán dẫn là gì ? 15 2.1.2 Chất bán dẫn loại N 16 2.1.3 Chất bán dẫn loại P 16 2.2. Diode (Đi ốt) Bán dẫn 17 2.2.1 Tiếp giáp P - N và Cấu tạo của Diode bán dẫn. 17 2.2.2 Phân cực thuận cho Diode. 18 2.2.3 Ứng dụng của Diode bán dẫn . 19 2.2.4 Các loại Diode 19 2.3 Giới thiệu về Transistor 23 2.3.1 Cấu tạo của Transistor. ( Bóng bán dẫn ) 23 2
  3. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 2.3.2 Nguyên tắc hoạt động của Transistor. 24 2.3.3 Ký hiệu và hình dạng của Transistor 26 2.3.3.1 Ký hiệu & hình dáng Transistor 26 2.3.3.2 Ký hiệu ( trên thân Transistor ) 26 2.3.4 Các thông số kỹ thuật của Transistor 27 2.3.5 Phân cực cho Transistor 27 2.3.5.1 Cấp điện cho Transistor ( Vcc - điện áp cung cấp ) 27 2.4. Mosfet 31 2.4.1. Giới thiệu về Mosfet 31 2.4.2. Cấu tạo và ký hiệu của Mosfet. 32 2.4.3. Nguyên tắc hoạt động của Mosfet 33 2.4.4. Phân cực 35 2.4.5. Ứng dung của Mosfet trong thực tế 36 2.5 Tranzito trường JFET 37 2.5.1. Cấu tạo 38 2.5.2. Cơ bản về hoạt động của JFET 38 2.5.3 Đặc điểm hoạt động JFET 38 2.5.4 Phân cực cố định: 39 2.5.4.2 Phân cực tự động: 40 Bài 3: 43 MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ 43 3.1. Các tham số h của transistor 43 3.2. Mạch khuếch đại cực phát chung 43 3.3. Mạch khuếch đại cực thu chung 44 3.4. Mạch khuếch đại cực nền chung 45 Bài 4: 47 MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT 47 4.1 Mạch khuếch đại công suất đẩy kéo 47 4.2 Mạch OCL 47 4.2 Mạch OTL 49 a. Sơ đồ mạch điện: 49 b. Nguyên lý hoạt động 50 Bài 5: 59 MẠCH KHUẾCH ĐẠI VI SAI 59 3
  4. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 5.1 Mạch khuyếch đại vi sai: (differential amplifier) 59 5.1.1 Dạng mạch căn bản: 59 5.1.2 Mạch phân cực: 61 5.1.3 Khảo sát thông số của mạch: 61 5.2 Mạch khuếch đại thuật toán 64 5.2.1 Cấu tạo 64 5.2.2 Các tham số của KĐTT 67 5.2.3 Các sơ đồ mắc cơ bản của KĐTT 70 5.2.4 Các sơ đồ khuếch đại không đảo. 72 5.2.5 Mạch cộng và mạch trừ. 75 5.2.6 Mạch vi phân và mạch tích phân. 81 5.2.7 Mạch so sánh tương tự. 83 Bài 6 90 THYRISTOR 90 6.1 Thyristor - SCR (Đi ốt có điều khiển) 90 6.1.1. Cấu tạo và nguyên lý hoạt động của Thyristor 90 6.1.2 Ứng dụng của Thyristor 92 6.2 Triac 92 6.2.1. Cấu tạo của triac: 92 6.2.2. Nguyên lý làm việc: 93 6.3 Diac 94 4
  5. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Bài 1 : CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ 1.1 ĐIỆN TRỞ 1.1.1 Khái niệm Điện trở là đại lượng vật lý đặc trưng cho tính chất cản trở dòng điện của một vật thể dẫn điện. Nó được định nghĩa là tỉ số của hiệu điện thế giữa hai đầu vật thể đó với cường độ dòng điện đi qua nó: trong đó: U : là hiệu điện thế giữa hai đầu vật dẫn điện, đo bằng vôn (V). I : là cường độ dòng điện đi qua vật dẫn điện, đo bằng ămpe (A). R : là điện trở của vật dẫn điện, đo bằng Ohm (Ω 1.1.2 cấu tạo điện trở Điện trở có các loại cơ bản : điện trở không phải dây quấn và điện trở dây quấn , điện trở nhiệt a. Điện trở không phải dây quấn Điện trở thường làm bằng hỗn hợp than hoặc kim loại trộn với chất kết dính rồi đem ép lại , vỏ được phủ lớp sơn than hay hỗn hợp kim loại trên một lõi sứ . Hai đầu có dây ra . Điện trở không phải dây quấn có hai loại : trị số cố định và trị số biến đổi (chiết áp) 5
  6. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 b. Điện trở dây quấn Điện trở dây quấn có lõi bằng sứ và dây quấn là loại hợp kim có điện trở lớn (nicron,mangnin )hai đầu cũng có dây dẫn và bên ngoài thường được bọc bằng một lớp nien ailicát để bảo vệ . Điện trở dây quấn có hai loại : trị số cố định và chiết áp dây quấn . c. Điện trở nhiệt Có hai loại : - Hệ số nhiệt dương khi nhiệt độ tăng thì giá trị điện trở tăng . - Hệ số nhiệt âm khi nhiệt độ tăng thì giá trị điện trở giảm . Các loại này thường dùng trong các mạch làm việc ổn định với nhiệt độ như mạch khuếch đại công suất âm tầng . 1.1.3 Những thông số cơ bản của điện trở a. Điện trở danh định Trên điện trở không ghi giá trị thực của điện trở mà chỉ ghi giá trị gần đúng , làm tròn , đó là điện trở danh định . Đơn vị điện trở : ôm(Ω),kilôôm(KΩ),mêgaôm(MΩ),gigaôm(GΩ) 1GΩ = 1000 MΩ =1000.000 KΩ = 1000.000.000 Ω b. Sai số Điện trở danh định không hoàn toàn đúng mà có sai số . Sai số tính theo phần trăm (%) và chia thành ba cấp chính xác : cấp I có sai số +-5% , cấp II là +-10% , cấp III là +-20%. c. Công suất định mức Công suất định mức là công suất tổn hao lơn nhất mà điện trở chịu được một thời gian dài làm việc mà không ảnh hưởng đến trị số của điện trở . 6
  7. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 d. Hệ số nhiệt của điện trở Khi nhiệt độ làm việc thay đổi thì trị số điện trở cũng thay đổi . Sự thay đổi trị số tương đối khi nhiệt độ thay đổi 1°C gọi là hệ số nhiệt của điện trở . Khi tăng 1°C trị số tăng khoảng 0.2%( trừ loại điện trở nhiệt) 1.1.4 Kí hiệu và ghi nhãn điện trở a. Kí hiệu : R b. Ghi nhãn : Điện trở ghi bằng số : Giá trị ghi bằng số , sai số đựơc ghi bằng % hoặc kí hiệu : M= 5% ; J =15% ; P =20% Ngoài ra các kí hiệu công suất , hãng sản xuất có hoặc không được ghi. Điện trở ghi bằng vòng màu : Qui ước giá trị các màu : Màu Trị Sai số số Đen 1 Nâu 2 Đỏ 3 Cam 4 Vàng 5 Xanh lục 6 Tím 7 Xám 8 Trắng 9 Nhũ 5% vàng Nhũ bạc 10% 7
  8. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Cách đọc : đọc bắt đầu vòng màu sát chân điện trở ( không phải vòng màu nhũ) 1.2 TỤ ĐIỆN 1.2.1 Cấu tạo Cấu tạo của tụ gồm hai phiến dẫn điện có dây dẫn ra . Ở giữa hai phiến là chất cách điện (điện môi) , toàn bộ được đặt trong vỏ bảo vệ . Tụ có các loại khác nhau : tụ giấy , tụ nica , tụ gốm , tụ hóa Tụ có loại điện dung cố định và loại điện dung biến đổi . 1.2.2 Những thông số cơ bản của tụ điện a. Điện dung danh định Đại lượng đặt trưng cho khả năng chứa điện tích của tụ điện gọi là điện dung của tụ điện. Kí hiệu : C . Đơn vị : Fara ( F ) b. Dung kháng của tụ điện Tụ điện ngăn không cho dòng điện một chiều đi qua nhưng có thể có một dòng nạp ban đầu và lại ngừng ngay khi tụ điện vừa mới nạp đầy. Đối với dòng điện xoay chiều thì dòng điện này tác động lên tụ điện với hai nữa chu kì ngược nhau , làm cho tụ điện có tác dụng dẫn dòng điện đi qua . Tụ có điện dung nhỏ cho tần số cao đi qua dễ . Tụ có điện dung lớn cho tần số thấp đi qua dễ . Dung kháng của tụ được tính theo công thức : Xc = 1/2лfC Trong đó : Xc là điện kháng của tụ (Ω) f là tần số dòng điện xoay chiều qua tụ ( Hz ) C là điện dung ( F ) , л = 3,14 8
  9. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 c. Sai số d. Điện áp công tác Là điện áp lớn nhất cho phép đặt lên hai đầu của tụ điện mà tụ điện vẫn làm việc bình thường . e. Tổn hao f. Điện trở cách điện Sau khi tích điện , tụ điện không giữ điện được lâu dài. Độ cách điện giảm sinh ra dòng điện rò . Dòng điện rò lớn hay nhỏ phụ thuộc vào chất điện môi . g . Hệ số nhiệt của tụ điện Sự biến đổi của điện dung tính theo % khi nhiệt độ thay đổi 1°C gọi là hệ số nhiệt của tụ điện . g . Điện cảm tạp tán Do kết cấu của tụ điện các phiến , dây dẫn tạo thành điện cảm tạp tán ảnh hưởng khi tụ làm việc với dòng điện xoay chiều ở tần số cao . Để mạch điện làm việc ổn định thì tần số công tác lớn nhất của tụ điện phải nhỏ hơn 2 -:- 3 lần tần số cộng hưởng của tụ điện ( điện dung của tụ và điện cảm tạp tán hình thành mạch cộng hưởng ). 1.2.3 Kí hiệu và phân loại a. Kí hiệu : C b. Phân loại : Tụ điện được chia thành 2 loại chính : - Loại không phân cực với nhiều dạng khác nhau . 9
  10. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 - Loại phân cực có cực tính xác định khi làm việc và có thể bị hỏng nếu nối ngược cực . * Ứng dụng một số loại tụ : + Tụ giấy : Được dùng để phân đường , ngăn nối tầng , lọc trong những mạch điện tần số thấp và một chiều . + Tụ mica :Tổn hao năng lượng rất bé , điện trở cách điện cao . Được dùng chủ yếu trong mạch có tần số cao . + Tụ gốm sứ cao tần :Tụ này chịu điện áp cao , kích thướt không lớn , được dùng trong các mạch cao tần , siêu cao tần . + Tụ màng nhựa , màng nhựa kim loại :Trị số điện dung ổn đinh , điện trở cách điện lớn , nhiệt độ làm việc thấp . + Tụ hóa :Dùng trong các mạch điện như bộ lọc mạch nắn điện , nối tầng ở mạch tần số thấp . Khi để lâu không dùng thì trị số điện dung giảm . Nếu đấu ngược cực tụ sẽ hỏng . + Tụ biên đổi ( tụ xoay) :Thường dùng trong các mạch cộng hưởng cao tấn ở máy thu , phát . Tụ biến đổi chỉ thay đổi trị số điện dung nhỏ từ 10 -:- 60 pF thường dùng để điều chỉnh lại các trị số điện dung gọi là tụ tinh chỉnh . * Trên tụ hóa và tụ giấy người ta có ghi các tham số như : Điện dung của tụ . Điện áp công tác . Sai số . Đối với tụ khác có điện dung nhỏ pF người ta ghi điện dung theo mã số bằng 3 chữ số . Trong đó số thứ 3 là số 0 thêm vào hai số đầu . Ví dụ : 403 = 40.000pF ; 271 = 270pF 10
  11. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 1.3. CUỘN CẢM VÀ BIẾN ÁP 1.3.1 Cuộn cảm Cuộn cảm có các loại : cuộn cảm dao động , cuộn cảm ghép , cuộn cảm cao tần và cuộn cảm âm tần . Cấu tạo cuộn cảm có các loại : một lớp , loại hình trụ , quấn tổ ong, loại có bọc kim ,loại khôn có lõi . 1.3.2 Những thông số cơ bản của cuộn cảm a. Điện cảm : Điện cảm của cuộn dây phụ thuộc vào kích thướt , hình dáng , số vòng dây . Số vòng dây càng lớn thì điện cảm càng lớn . Kí hiệu : L ; đơn vị henry (H) . b. Điện kháng ( cảm kháng) : Một cuộn dây có dòng điện chạy qua sẽ sinh ra một từ trường . Nếu giá trị của dòng điện thay đổi thì cường độ thừ trường phát sinh từ cuộn dây cũng thay đổi gây ra một sức điện động cảm ứng (tự cảm) trên cuộn dây và có xu thế đối lập lại dòng điện ban đầu . Một cuộn dây trong mạch điện xoay chiều sẽ có điện trở một chiều bình thường của nó tạo ra cộng thêm điện trở do điện cảm (điện trở xoay chiều) . Trở kháng của cuộn dây : ZL = RL + j2лfL Khi tín hiệu có tần số thấp tác động thì điện trở tổng cộng của cuộn dây tương đối nhỏ và khi tần tăng lên thì giá trị này sẽ tăng tỷ lệ với tần số . 11
  12. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 c. Hệ số phẩm chất : Một cuộn cảm có chất lượng cao thì tổn hao năng lương nhỏ . Muốn nâng cao hệ số phẩm chất dùng lõi bằng vật liệu dẫn từ như :ferit , sắt cacbon số vòng dây quấn ít vòng hơn . d. Điện dung tạp tán : Những vòng dây quấn và các lớp dây tạo nên một điện dung và có thể xem như một tụ điện mắc song song với cuộn cảm . Điện dung làm giảm chất lượng cuộn dây . Khắc phục bằng cách quấn tổ ong,phân đoạn . 1.3.3 Phân loại và ứng dụng a. Cuộn cảm âm tần : Là cuộn dây quấn trên lõi sắt từ . Cuộn dây có nhiều vòng để có điện cảm L lớn. Ứng dụng : Dùng trong các mạch nắn điện ( dùng làm bộ lọc) và trong các mạch điện xoay chiều âm tần . b. Cuộn cảm cao tần : Cuộn cảm cao tần có số vòng dây ít hơn cuộn cảm âm tần và được quấn trên ống sứ , nhựa cách điện , bên trong không có lõi hoặc có lõi bằng chất ferit . Ứng dụng : Dùng trong mạch cao tần , trung tần của máy thu phát vô tuyến . 1.4 Biến Áp 1.4.1 Biến áp cảm ứng Tác dụng : - Biến đổi điện áp và dòng điện xoay chiều . - Phối hợp trở kháng giữa bên sơ cấp và thứ cấp . Nếu có một dòng điện xoay chiều đi qua cuộn dây sẽ sinh ra một từ trường biến đổi . Ta đặt cuộn dây thứ hai trong từ trường cuộn dây thứ nhất thì trong cuộn dây thứ hai xuất hiện dòng điện , gọi là dòng điện cảm ứng . Dòng điện trong cuộn dây thứ hai biến đổi như dòng điện trong cuộn dây thứ nhất sinh ra nó , đó là hiện tượng cảm ứng điện từ . Hai cuộn dây càng sát nhau thì hiện tượng cảm ứng điện từ càng mạnh . Hiện tượng cảm ứng điện từ rất mạnh khi quấn cả hai cuộn dây trên cùng một lõi sắt từ . 12
  13. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Nguyên lý làm việc của MBA cũng dựa trên hiện tượng cảm ứng điện từ . Nếu n1 là số vòng dây cuộn sơ cấp,U1 là điện áp vào cuộn sơ cấp , n2 số vòng dây cuộn thứ cấp , U2 là diện áp ra ở cuộn thứ cấp . Ta có tỉ số biến áp : K = n1/n2 =U1/U2 = I2/I1 . Trong đó : I1 là dòng điện sơ cấp , I2 là dòng điện thứ cấp . Nếu : K>1 (U1>U2) là biến áp giảm áp . K<1 (U1<U2) là biến áp tăng áp . 1.4.2 Biến áp trung tần Biến áp trung tần có cuộn sơ cấp và thứ cấp , lõi dùng thường là ferit hình xuyến hoặc đoạn ferit ngắn . Ứng dụng : dùng để phối hợp trở kháng ghép giữa hai tầng của máy thu . 1.4.3 Biến áp âm tần - Biến áp nối tầng(đảo pha) :Biến áp này dùng để phối hợp trở kháng ra của tầng trước cao với trở kháng vào của tần sau thấp để nâng cao độ khuếch đại của mạch . - Biến áp đảo pha cũng là biến áp nối tầng mà cuộn thứ cấp có điểm ra ở giữa , dùng để đảo pha và kích thích transistor ở tầng công suất đẩy kéo . - Biến áp ra phối hợp trở kháng gánh của transistor công suất và trở kháng loa đưa công suất ra loa .Biến áp ra tầng đơn có 4 đầu dây ra , tầng đẩy kéo có 5 đầu ra . 13
  14. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 14
  15. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Bài 2: CHẤT BÁN DẪN VÀ LINH KIỆN TÍCH CỰC 2.1 Chất bán dẫn 2.1.1 Chất bán dẫn là gì ? Chất bán dẫn là nguyên liệu để sản xuất ra các loại linh kiện bán dẫn như Diode, Transistor, IC mà ta đã thấy trong các thiết bị điện tử ngày nay. Chất bán dẫn là những chất có đặc điểm trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách điện, về phương diện hoá học thì bán dẫn là những chất có 4 điện tử ở lớp ngoài cùng của nguyên tử. đó là các chất Germanium ( Ge) và Silicium (Si) Từ các chất bán dẫn ban đầu ( tinh khiết) người ta phải tạo ra hai loại bán dẫn là bán dẫn loại N và bán dẫn loại P, sau đó ghép các miếng bán dẫn loại N và P lại ta thu được Diode hay Transistor. Si và Ge đều có hoá trị 4, tức là lớp ngoài cùng có 4 điện tử, ở thể tinh khiết các nguyên tử Si (Ge) liên kết với nhau theo liên kết cộng hoá trị như hình dưới. Chất bán dẫn tinh khiết . 15
  16. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 2.1.2 Chất bán dẫn loại N Khi ta pha một lượng nhỏ chất có hoá trị 5 như Phospho (P) vào chất bán dẫn Si thì một nguyên tử P liên kết với 4 nguyên tử Si theo liên kết cộng hoá trị, nguyên tử Phospho chỉ có 4 điện tử tham gia liên kết và còn dư một điện tử và trở thành điện tử tự do => Chất bán dẫn lúc này trở thành thừa điện tử ( mang điện âm) và được gọi là bán dẫn N ( Negative : âm ). Chất bán dẫn N 2.1.3 Chất bán dẫn loại P Ngược lại khi ta pha thêm một lượng nhỏ chất có hoá trị 3 như Indium (In) vào chất bán dẫn Si thì 1 nguyên tử Indium sẽ liên kết với 4 nguyên tử Si theo liên kết cộng hoá trị và liên kết bị thiếu một điện tử => trở thành lỗ trống ( mang điện dương) và được gọi là chất bán dẫn P. 16
  17. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Chất bán dẫn P 2.2. Diode (Đi ốt) Bán dẫn 2.2.1 Tiếp giáp P - N và Cấu tạo của Diode bán dẫn. Khi đã có được hai chất bán dẫn là P và N , nếu ghép hai chất bán dẫn theo một tiếp giáp P - N ta được một Diode, tiếp giáp P -N có đặc điểm : Tại bề mặt tiếp xúc, các điện tử dư thừa trong bán dẫn N khuyếch tán sang vùng bán dẫn P để lấp vào các lỗ trống => tạo thành một lớp Ion trung hoà về điện => lớp Ion này tạo thành miền cách điện giữa hai chất bán dẫn. Mối tiếp xúc P - N => Cấu tạo của Diode . * Ở hình trên là mối tiếp xúc P - N và cũng chính là cấu tạo của Diode bán dẫn. 17
  18. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Ký hiệu và hình dáng của Diode bán dẫn. 2.2.2 Phân cực thuận cho Diode. Khi ta cấp điện áp dương (+) vào Anôt ( vùng bán dẫn P ) và điện áp âm (-) vào Katôt ( vùng bán dẫn N ) , khi đó dưới tác dụng tương tác của điện áp, miền cách điện thu hẹp lại, khi điện áp chênh lệch giữ hai cực đạt 0,6V ( với Diode loại Si ) hoặc 0,2V ( với Diode loại Ge ) thì diện tích miền cách điện giảm bằng không => Diode bắt đầu dẫn điện. Nếu tiếp tục tăng điện áp nguồn thì dòng qua Diode tăng nhanh nhưng chênh lệch điện áp giữa hai cực của Diode không tăng (vẫn giữ ở mức 0,6V ) Diode (Si) phân cực thuận - Khi Dode dẫn điện áp thuận đựơc gim ở mức 0,6V Đường đặc tuyến của điện áp thuận qua Diode 18
  19. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 2.2.3 Ứng dụng của Diode bán dẫn . * Do tính chất dẫn điện một chiều nên Diode thường được sử dụng trong các mạch chỉnh lưu nguồn xoay chiều thành một chiều, các mạch tách sóng, mạch gim áp phân cực cho transistor hoạt động . trong mạch chỉnh lưu Diode có thể được tích hợp thành Diode cầu có dạng . Diode cầu trong mạch chỉnh lưu điện xoay chiều . 2.2.4 Các loại Diode 2.2.4.1 Diode Zener Cấu tạo : Diode Zener có cấu tạo tương tự Diode thường nhưng có hai lớp bán dẫn P - N ghép với nhau, Diode Zener được ứng dụng trong chế độ phân cực ngược, khi phân cực thuận Diode zener như diode thường nhưng khi phân cực ngược Diode zener sẽ gim lại một mức điện áp cố định bằng giá trị ghi trên diode. Hình dáng Diode Zener ( Dz ) 19
  20. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Ký hiệu và ứng dụng của Diode zener trong mạch. Sơ đồ trên minh hoạ ứng dụng của Dz, nguồn U1 là nguồn có điện áp thay đổi, Dz là diode ổn áp, R1 là trở hạn dòng. Ta thấy rằng khi nguồn U1 > Dz thì áp trên Dz luôn luôn cố định cho dù nguồn U1 thay đổi. Khi nguồn U1 thay đổi thì dòng ngược qua Dz thay đổi, dòng ngược qua Dz có giá trị giới hạn khoảng 30mA. Thông thường người ta sử dụng nguồn U1 > 1,5 => 2 lần Dz và lắp trở hạn dòng R1 sao cho dòng ngược lớn nhất qua Dz Dz thì khi U1 thay đổi => áp trên Dz không đổi. 2.2.4.2 Diode Thu quang. ( Photo Diode ) Diode thu quang hoạt động ở chế độ phân cực nghịch, vỏ diode có một miếng thuỷ tinh để ánh sáng chiếu vào mối P - N , dòng điện ngược qua diode tỷ lệ thuận với cường độ ánh sáng chiếu vào diode. 20
  21. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Ký hiệu của Photo Diode Minh hoạ sự hoạt động của Photo Diode 2.2.4.3 Diode Phát quang ( Light Emiting Diode : LED ) Diode phát phang là Diode phát ra ánh sáng khi được phân cực thuận, điện áp làm việc của LED khoảng 1,7 => 2,2V dòng qua Led khoảng từ 5mA đến 20mA Led được sử dụng để làm đèn báo nguồn, đèn nháy trang trí, báo trạng thái có điện . vv Diode phát quang LED 21
  22. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 2.2.4.4 Diode Varicap ( Diode biến dung ) Diode biến dung là Diode có điện dung như tụ điện, và điện dung biến đổi khi ta thay đổi điện áp ngược đặt vào Diode. Ứn dụng của Diode biến dung Varicap ( VD ) trong mạch cộng hưởng Ở hình trên khi ta chỉnh triết áp VR, điện áp ngược đặt vào Diode Varicap thay đổi , điện dung của diode thay đổi => làm thay đổi tần số công hưởng của mạch. Diode biến dung được sử dụng trong các bộ kênh Ti vi mầu, trong các mạch điều chỉnh tần số cộng hưởng bằng điện áp. 2.2.4.5 Diode xung Trong các bộ nguồn xung thì ở đầu ra của biến áp xung , ta phải dùng Diode xung để chỉnh lưu. diode xung là diode làm việc ở tần số cao khoảng vài chục KHz , diode nắn điện thông thường không thể thay thế vào vị trí diode xung được, nhưng ngựơc lại diode xung có thể thay thế cho vị trí diode thường, diode xung có giá thành cao hơn diode thường nhiều lần. Về đặc điểm , hình dáng thì Diode xung không có gì khác biệt với Diode thường, tuy nhiên Diode xung thường có vòng dánh dấu đứt nét hoặc đánh dấu bằng hai vòng 22
  23. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Ký hiệu của Diode xung 2.2.4.6 Diode tách sóng. Là loại Diode nhỏ vở bằng thuỷ tinh và còn gọi là diode tiếp điểm vì mặt tiếp xúc giữa hai chất bán dẫn P - N tại một điểm để tránh điện dung ký sinh, diode tách sóng thường dùng trong các mạch cao tần dùng để tách sóng tín hiệu. 2.2.4.7 Diode nắn điện. Là Diode tiếp mặt dùng để nắn điện trong các bộ chỉnh lưu nguồn AC 50Hz , Diode này thường có 3 loại là 1A, 2A và 5A. Diode nắn điện 5A 2.3 Giới thiệu về Transistor 2.3.1 Cấu tạo của Transistor. ( Bóng bán dẫn ) Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp P-N , nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận , nếu ghép theo thứ tự NPN ta được Transistor ngược. về phương diện cấu tạo Transistor tương đương với hai Diode đấu ngược chiều nhau . 23
  24. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Cấu tạo Transistor Ba lớp bán dẫn được nối ra thành ba cực , lớp giữa gọi là cực gốc ký hiệu là B ( Base ), lớp bán dẫn B rất mỏng và có nồng độ tạp chất thấp. Hai lớp bán dẫn bên ngoài được nối ra thành cực phát ( Emitter ) viết tắt là E, và cực thu hay cực góp ( Collector ) viết tắt là C, vùng bán dẫn E và C có cùng loại bán dẫn (loại N hay P ) nhưng có kích thước và nồng độ tạp chất khác nhau nên không hoán vị cho nhau được. 2.3.2 Nguyên tắc hoạt động của Transistor. * Xét hoạt động của Transistor NPN . 24
  25. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Mạch khảo sát về nguyên tắc hoạt động của transistor NPN Ta cấp một nguồn một chiều UCE vào hai cực C và E trong đó (+) nguồn vào cực C và (-) nguồn vào cực E. Cấp nguồn một chiều UBE đi qua công tắc và trở hạn dòng vào hai cực B và E , trong đó cực (+) vào chân B, cực (-) vào chân E. Khi công tắc mở , ta thấy rằng, mặc dù hai cực C và E đã được cấp điện nhưng vẫn không có dòng điện chạy qua mối C E ( lúc này dòng IC = 0 ) Khi công tắc đóng, mối P-N được phân cực thuận do đó có một dòng điện chạy từ (+) nguồn UBE qua công tắc => qua R hạn dòng => qua mối BE về cực (-) tạo thành dòng IB Ngay khi dòng IB xuất hiện => lập tức cũng có dòng IC chạy qua mối CE làm bóng đèn phát sáng, và dòng IC mạnh gấp nhiều lần dòng IB Như vậy rõ ràng dòng IC hoàn toàn phụ thuộc vào dòng IB và phụ thuộc theo một công thức . IC = β.IB Trong đó IC là dòng chạy qua mối CE IB là dòng chạy qua mối BE β là hệ số khuyếch đại của Transistor Giải thích : Khi có điện áp UCE nhưng các điện tử và lỗ trống không thể vượt qua mối tiếp giáp P-N để tạo thành dòng điện, khi xuất hiện dòng IBE do lớp bán dẫn P tại cực B rất mỏng và nồng độ pha tạp thấp, vì vậy số điện tử tự do từ lớp bán dẫn N ( cực E ) vượt qua tiếp giáp sang lớp bán dẫn P( cực B ) lớn hơn số lượng lỗ trống rất nhiều, một phần nhỏ trong số các điện tử đó thế vào lỗ trống tạo thành dòng IB còn phần lớn số điện tử bị hút về phía cực C dưới tác dụng của điện áp UCE => tạo thành dòng ICE chạy qua Transistor. 25
  26. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Xét hoạt động của Transistor PNP . Sự hoạt động của Transistor PNP hoàn toàn tương tự Transistor NPN nhưng cực tính của các nguồn điện UCE và UBE ngược lại . Dòng IC đi từ E sang C còn dòng IB đi từ E sang B. 2.3.3 Ký hiệu và hình dạng của Transistor 2.3.3.1 Ký hiệu & hình dáng Transistor . Ký hiệu của Transistor Transistor công xuất nhỏ Transistor công xuất lớn 2.3.3.2 Ký hiệu ( trên thân Transistor ) Hiện nay trên thị trường có nhiều loại Transistor của nhiều nước sản xuất nhưng thông dụng nhất là các transistor của Nhật bản, Mỹ và Trung quốc. Transistor Nhật bản : thường ký hiệu là A , B , C , D Ví dụ A564, B733, C828, D1555 trong đó các Transistor ký hiệu là A và B là Transistor thuận PNP 26
  27. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 còn ký hiệu là C và D là Transistor ngược NPN. các Transistor A và C thường có công xuất nhỏ và tần số làm việc cao còn các Transistor B và D thường có công xuất lớn và tần số làm việc thấp hơn. Transistor do Mỹ sản xuất. thường ký hiệu là 2N ví dụ 2N3055, 2N4073 vv Transistor do Trung quốc sản xuất : Bắt đầu bằng số 3, tiếp theo là hai chũ cái. Chữ cái thức nhất cho biết loại bóng : Chữ A và B là bóng thuận , chữ C và D là bòng ngược, chữ thứ hai cho biết đặc điểm : X và P là bòng âm tần, A và G là bóng cao tần. Các chữ số ở sau chỉ thứ tự sản phẩm. Thí dụ : 3CP25 , 3AP20 vv 2.3.4 Các thông số kỹ thuật của Transistor Dòng điện cực đại : Là dòng điện giới hạn của transistor, vượt qua dòng giới hạn này Transistor sẽ bị hỏng. Điện áp cực đại : Là điện áp giới hạn của transistor đặt vào cực CE , vượt qua điện áp giới hạn này Transistor sẽ bị đánh thủng. Tấn số cắt : Là tần số giới hạn mà Transistor làm việc bình thường, vượt quá tần số này thì độ khuyếch đại của Transistor bị giảm . Hệ số khuyếch đại : Là tỷ lệ biến đổi của dòng ICE lớn gấp bao nhiêu lần dòng IBE Công xuất cực đại : Khi hoat động Transistor tiêu tán một công xuất P = UCE . ICE nếu công xuất này vượt quá công xuất cực đại của Transistor thì Transistor sẽ bị hỏng . 2.3.5 Phân cực cho Transistor 2.3.5.1 Cấp điện cho Transistor ( Vcc - điện áp cung cấp ) Để sử dụng Transistor trong mạch ta cần phải cấp cho nó một nguồn điện, tuỳ theo mục đích sử dụng mà nguồn điện được cấp trực tiếp vào Transistor hay đi qua điện 27
  28. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 trở, cuộn dây v v nguồn điện Vcc cho Transistor được quy ước là nguồn cấp cho cực CE. Cấp nguồn Vcc cho Transistor ngược và thuận Ta thấy rằng : Nếu Transistor là ngược NPN thì Vcc phải là nguồn dương (+), nếu Transistor là thuận PNP thì Vcc là nguồn âm (-) 2.3.5.2 Phân cực ( phân cực ) cho Transistor . Phân cực : là cấp một nguồn điện vào chân B ( qua trở phân cực) để đặt Transistor vào trạng thái sẵn sàng hoạt động, sẵn sàng khuyếch đại các tín hiệu cho dù rất nhỏ. 28
  29. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Tại sao phải phân cực cho Transistor nó mới sẵn sàng hoạt động ? : Để hiếu được điều này ta hãy xét hai sơ đồ trên : Ở trên là hai mạch sử dụng transistor để khuyếch đại tín hiệu, một mạch chân B không được phân cực và một mạch chân B được phân cực thông qua Rđt. Các nguồn tín hiệu đưa vào khuyếch đại thường có biên độ rất nhỏ ( từ 0,05V đến 0,5V ) khi đưa vào chân B( đèn chưa có phân cực) các tín hiệu này không đủ để tạo ra dòng IBE ( đặc điểm mối P-N phaỉ có 0,6V mới có dòng chạy qua ) => vì vậy cũng không có dòng ICE => sụt áp trên Rg = 0V và điện áp ra chân C = Vcc Ở sơ đồ thứ 2 , Transistor có Rđt phân cực => có dòng IBE, khi đưa tín hiệu nhỏ vào chân B => làm cho dòng IBE tăng hoặc giảm => dòng ICE cũng tăng hoặc giảm , sụt áp trên Rg cũng thay đổi => và kết quả đầu ra ta thu được một tín hiệu tương tự đầu vào nhưng có biên độ lớn hơn. => Kết luận : Phân cực ( hay phân cực) nghĩa là tạo một dòng điện IBE ban đầu, một sụt áp trên Rg ban đầu để khi có một nguồn tín hiệu yếu đi vào cực B , dòng IBE 29
  30. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 sẽ tăng hoặc giảm => dòng ICE cũng tăng hoặc giảm => dẫn đến sụt áp trên Rg cũng tăng hoặc giảm => và sụt áp này chính là tín hiệu ta cần lấy ra . 2.3.5.3 Một số mạch phân cực khác . * Mạch phân cực dùng hai nguồn điện khác nhau . Mạch phân cực dùng hai nguồn điện khác nhau * Mach phân cực có điện trở phân áp Để có thể khuếch đại được nhiều nguồn tín hiệu mạnh yếu khác nhau, thì mạch phân cực thường sử dụng thêm điện trở phân áp Rpa đấu từ B xuống Mass. Mạch phân cực có điện trở phân áp Rpa * Mạch phân cực có hồi tiếp . 30
  31. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Là mạch có điện trở phân cực đấu từ đầu ra (cực C ) đến đầu vào ( cực B) mạch này có tác dụng tăng độ ổn định cho mạch khuyếch đại khi hoạt động. 2.4. Mosfet 2.4.1. Giới thiệu về Mosfet Mosfet là Transistor hiệu ứng trường ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) là một Transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường mà ta đã biết, Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợn cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu, Mosfet được sử dụng nhiều trong các mạch nguồn Monitor, nguồn máy tính . 31
  32. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Transistor hiệu ứng trường Mosfet 2.4.2. Cấu tạo và ký hiệu của Mosfet. Ký hiệu và sơ đồ chân tương đương giữa Mosfet và Transistor 32
  33. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 * Cấu tạo của Mosfet. Cấu tạo của Mosfet ngược Kênh N G : Gate gọi là cực cổng S : Source gọi là cực nguồn D : Drain gọi là cực máng Mosfet kện N có hai miếng bán dẫn loại P đặt trên nền bán dẫn N, giữa hai lớp P-N được cách điện bởi lớp SiO2 hai miếng bán dẫn P được nối ra thành cực D và cực S, nền bán dẫn N được nối với lớp màng mỏng ở trên sau đó được dấu ra thành cực G. Mosfet có điện trở giữa cực G với cực S và giữa cực G với cực D là vô cùng lớn , còn điện trở giữa cực D và cực S phụ thuộc vào điện áp chênh lệch giữa cực G và cực S ( UGS ) Khi điện áp UGS = 0 thì điện trở RDS rất lớn, khi điện áp UGS > 0 => do hiệu ứng từ trường làm cho điện trở RDS giảm, điện áp UGS càng lớn thì điện trở RDS càng nhỏ. 2.4.3. Nguyên tắc hoạt động của Mosfet Mạch điện thí nghiệm. 33
  34. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Mạch thí nghiệm sự hoạt động của Mosfet Thí nghiệm : Cấp nguồn một chiều UD qua một bóng đèn D vào hai cực D và S của Mosfet Q (Phân cực thuận cho Mosfet ngược) ta thấy bóng đèn không sáng nghĩa là không có dòng điện đi qua cực DS khi chân G không được cấp điện. Khi công tắc K1 đóng, nguồn UG cấp vào hai cực GS làm điện áp UGS > 0V => đèn Q1 dẫn => bóng đèn D sáng. Khi công tắc K1 ngắt, điện áp tích trên tụ C1 (tụ gốm) vẫn duy trì cho đèn Q dẫn => chứng tỏ không có dòng điện đi qua cực GS. Khi công tắc K2 đóng, điện áp tích trên tụ C1 giảm bằng 0 => UGS= 0V => đèn tắt => Từ thực nghiệm trên ta thấy rằng : điện áp đặt vào chân G không tạo ra dòng GS như trong Transistor thông thường mà điện áp này chỉ tạo ra từ trường => làm cho điện trở RDS giảm xuống . 34
  35. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 2.4.4. Phân cực 2.4.4.1 Phân cực bằng cầu chia điện thế: Ðây là dạng mạch phân cực thông dụng nhất. Nên chú ý là do điều hành theo kiểu tăng nên không thể dùng cách phân cực tự động. Các điện trở R1, R2 , RS phải được chọn sao cho VG>VS tức VGS >0. Thí dụ ta xem mạch phân cực hình 3.7. - Ðặc tuyến truyền được xác định bởi: IDSS = 6mA IGS(off) =-3v - Ðường phân cực được xác định bởi: VGS = VG-RSID 35
  36. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Vậy VGS(off) = 1.5volt - ID(mA). 0,15 (k) Từ đồ thị hình 3.8 ta suy ra: IDQ =7.6mA VGSQ = 0.35v VDS = VDD - (RS+RD)ID = 3.18v 2.4.4.2 Phân cực bằng mạch hồi tiếp điện thế: Mạch cơ bản hình 3.9 - Ðặc tuyến truyền giống như trên. - Ðường phân cực xác định bởi: VGS = VDS = VDD - RDID (3.11) trùng với đường thẳng lấy điện. Vẽ hai đặc tuyến này ta có thể xác định được IDQ và VGSQ 2.4.5. Ứng dung của Mosfet trong thực tế Mosfet trong nguồn xung của Monitor 36
  37. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Mosfet được sử dụng làm đèn công xuất nguồn Monitor Trong bộ nguồn xung của Monitor hoặc máy vi tính, người ta thường dùng cặp linh kiện là IC tạo dao động và đèn Mosfet, dao động tạo ra từ IC có dạng xung vuông được đưa đến chân G của Mosfet, tại thời điểm xung có điện áp > 0V => đèn Mosfet dẫn, khi xung dao động = 0V Mosfet ngắt => như vậy dao động tạo ra sẽ điều khiển cho Mosfet liên tục đóng ngắt tạo thành dòng điện biến thiên liên tục chạy qua cuộn sơ cấp => sinh ra từ trường biến thiên cảm ứng lên các cuộn thứ cấp => cho ta điện áp ra. * Đo kiểm tra Mosfet trong mạch . Khi kiểm tra Mosfet trong mạch , ta chỉ cần để thang x1W và đo giữa D và S => Nếu 1 chiều kim lên đảo chiều đo kim không lên => là Mosfet bình thường, Nếu cả hai chiều kim lên = 0 W là Mosfet bị chập DS. 2.5 Tranzito trường JFET JFET được cấu tạo bởi 1 miếng bán dẫn mỏng ( loại N hoặc loại P ) 2 đầu tuơng ứng là D và S, miếng bán dẫn này được gọi là kênh dẫn điện. 2 miếng bán dẫn ở 2 bên kênh dẫn được nối với cực G, lưu ý, cự G được tách ra khỏi kênh nhờ tiếp xúc N-P. Đa phần các JFET có cấu tạo đối xứng nên có thể đổi chỗ cực D và S mà tính chất không thay đổi. 37
  38. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 2.5.1. Cấu tạo Có 2 loại JFET : kênh n và kênh P. JFET kênh n thường thông dụng hơn. JFET có 3 cực: cực Nguồn S (source); cực Cửa G (gate); cực Máng D (drain). Cực D và cực S được kết nối vào kênh n. cực G được kết nối vào vật liệu bán dẫn p Drain Drain (D) (D) N P P N P N P N Gate Gate (G) (G) Source Source (S) (S) 2.5.2. Cơ bản về hoạt động của JFET JFET hoạt động giống như hoạt động của một khóa nước. • Nguồn áp lực nước-tích lũy các hạt e- ở điện cực âm của nguồn điện áp cung cấp từ D và S. • Ống nước ra - thiếu các e- hay lỗ trống tại cực dương của nguồn điện áp cung cấp từ D và S. • Điều khiển lượng đóng mở nước-điện áp tại G điều khiển độ rộng của kênh n, kiểm soát dòng chảy e- trong kênh n từ S tới D. 2.5.3 Đặc điểm hoạt động JFET JFET kênh N có 3 chế độ hoạt động cơ bản khi VDS >0: A. VGS = 0, JFET hoạt động bảo hòa, ID=Max B. VGS < 0, JFET hoạt động tuyến tính, ID↓ 38
  39. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 C. VGS =-Vngắt, JFET ngưng hoạt động, ID=0 Đặc tuyến truyền đạt Đặc tuyến ra của JFET , UGS=const, ID=f(UDS) ID(mA) Vùng dòng điện ID không đổi 10 UGS=-0V Vùng thuần 8 UGS=-0.5V trở 6 UGS=-1V UGS=-2V 4 đánh thủng UGS=-4V 2 UDSsat 0 2 3 4 6 8 10 UDS(V) 2.5.4 Phân cực cố định: 2.5.4.1 Phân cực cố định: Dạng mạch như hình Ta có: IG = 0; VGS = -RGIG - VGG RGIG = 0 VGS = -VGG (3.1) 39
  40. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Ðường thẳng VGS=-VGG được gọi là đường phân cực. Ta cũng có thể xác định được ID từ đặc tuyến truyền. Ðiểm điều hành Q chính là giao điểm của đặc tuyến truyền với đường phân cực. Từ mạch ngõ ra ta có: VDS = VDD - RDID (3.2) Ðây là phương trình đường thẳng lấy điện. Ngoài ra: VS = 0 VD = VDS = VDD - RDID VG = VGS = -VGG 2.5.4.2 Phân cực tự động: Ðây là dạng phân cực thông dụng nhất cho JFET. Trong kiểu phân cực này ta chỉ dùng một nguồn điện một chiều VDD và có thêm một điện trở RS mắc ở cực nguồn như hình Vì IG = 0 nên VG = 0 và ID = IS VGS = VG - VS = -RSID (3.3) Ðây là phương trình đường phân cực. Trong trường hợp này VGS là một hàm số của dòng điện thoát ID và không cố định như trong mạch phân cực cố định. - Thay VGS vào phương trình schockley ta tìm được dòng điện thoát ID. 40
  41. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 - Dòng ID cũng có thể được xác định bằng điểm điều hành Q. Ðó là giao điểm của đường phân cực với đặc tuyến truyền. Mạch ngõ ra ta có: VDS = VDD-RDID-RSIS = VDD-(RD + RS)ID (3.5) Ðây là phương trình đường thẳng lấy điện. Ngoài ra: VS=RSID ; VG = 0; VD = VDD-RDID 2.4.5.3 Phân cực bằng cầu chia điện thế: Dạng mạch như hình 3.5 Ta có: VGS = VG - VS VS = RSIS = RSID VGS = VG - RSID (3.7) Ðây là phương trình đường phân cực. 41
  42. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Do JFET điều hành theo kiểu hiếm nên phải chọn R1, R2 và RS sao cho VGS < 0 tức IDQ và VGSQ chính là tọa độ giao điểm của đường phân cực và đặc tuyến truyền. Ta thấy khi RS tăng, đường phân cực nằm ngang hơn, tức VGS âm hơn và dòng ID nhỏ hơn. Từ điểm điều hành Q, ta xác định được VGSQ và IDQ. Mặt khác: VDS = VDD - (RD + RS)ID (3.8) VD = VDD - RDID (3.9) VS = RSID 42
  43. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Bài 3: MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ 3.1. Các tham số h của transistor Dạng mạch thông dụng và mạch tương đương xoay chiều như hình 2.38 Phân giải mạch tương đương ta tìm được: Việc phân giải các mạch dùng BJT theo thông số h cũng tương đương như kiểu mẫu re. Ở đây ta sẽ không đi sâu vào các chi tiết mà chỉ dừng lại ở những kết quả quan trọng nhất của mạch. Các thông số h thường được nhà sản xuất cho biết. Ngoài ra ta cần nhớ đến các liên hệ giữa 2 mạch tương đương 3.2. Mạch khuếch đại cực phát chung Thí dụ ta xem mạch hình 2.39a và mạch tương đương hình 2.39b Phân giải mạch tương đương ta tìm được 43
  44. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 Ghi chú: Trường hợp ta mắc thêm tụ phân dòng CE hoặc mạch điện không có RE (chân E mắc xuống mass) thì trong mạch tương đương sẽ không có sự hiện diện của RE Các kết quả sẽ là: 3.3. Mạch khuếch đại cực thu chung Xem mạch hình 2.40a với mạch tương đương 2.40b 44
  45. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 3.4. Mạch khuếch đại cực nền chung Dạng mạch và mạch tương đương như hình 2.41 Phân giải mạch tương đương ta tìm được: 45
  46. Kỹ thuật điện tử Áp dụng cho lớp: TKL12 và TKL13 46